青島海存微電子有限公司，由青島海洋投資集團與致真存儲（北京）科技有限公司合資組建，位于青島市西海岸新區(qū)古鎮(zhèn)口。公司將在青島市西海岸新區(qū)建設8英寸和12英寸的新一代磁存儲后道微納加工量產(chǎn)線，以加速磁存儲芯片的產(chǎn)業(yè)化進程。全面投產(chǎn)后，我們將實現(xiàn)月產(chǎn)400萬顆高端芯片，年產(chǎn)值20億元。 海存微電子聚焦于新一代磁性隨機存儲芯片產(chǎn)品的研發(fā)及生產(chǎn)制造。磁性隨機存儲器（Magnetic Random Access Memory，MRAM）是基于電子的自旋屬性存儲數(shù)據(jù)的非易失性存儲器芯片技術，兼具靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫入能力和動態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，同時可實現(xiàn)閃存（FLASH memory）的斷電不丟失數(shù)據(jù)特性，擁有高速讀寫、低功耗、耐擦寫、高可靠和寬溫區(qū)等獨特優(yōu)勢，是新型非易失存儲芯片的理想選擇之一。該產(chǎn)品可應用于高可靠電子設備、工業(yè)芯片、汽車電子、消費電子產(chǎn)品以及人工智能等多個行業(yè)。 海存微電子的主要技術人員來自于致真存儲，是一支具備國際視野和創(chuàng)新能力的團隊，在磁性隨機存儲芯片領域具有近二十年的科研基礎，在SOT-MARM領域的技術水平處于全球行業(yè)先進地位，為企業(yè)高質(zhì)量發(fā)展奠定堅實基礎。同時，青島海投國有資本的注入為海存微電子提供了強大的保障，加速推動了MRAM項目的規(guī)?；l(fā)展。 以“芯”報國，肩負榮光。實現(xiàn)高水平科技自立自強是我們的初心和擔當。公司的目標是建成國內(nèi)第一條8英寸MRAM專用量產(chǎn)線，實現(xiàn)磁存儲芯片產(chǎn)品的全國產(chǎn)化。展望未來，青島海存微電子有限公司將繼續(xù)加大研發(fā)投入，拓展市場覆蓋面，提升品牌影響力。公司專注深耕磁存儲技術領域，不斷探索前沿科技，致力于成為全球先進的MRAM芯片供應商，推動中國新型存儲芯片的持續(xù)發(fā)展，創(chuàng)造中國存儲芯片的“國貨之光”。我們愿與全球各地的客戶建立長期穩(wěn)定的合作伙伴關系，共同發(fā)展，共創(chuàng)輝煌。